Journal | [J] 现代化教育 Volume 4, Issue 1. 2022.
高压下 AsH3 的结构和电子性质研究
作者 : 蔺  何, 刘 晨帆, 程 环环, 蔡 璇璇
摘要 / Abstract
本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了高压下砷化氢的结构和电子性质。在 0-150 GPa 的压力范围内我们得到了 AsH3 的稳定结构 P21。能带结构表明体系的金属化压力为 40 GPa。在 AsH3 的金属化过程中,As 的 4d 轨道起到了关键性作用,As 4d 轨道几乎接收了 H 1s 轨道转移的全部电荷。
关键词 / Keywords
高压;密度泛函理论;结构相变;电子性质
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